Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Интегральные микросхемы
Модули памяти

Модули памяти

Сбросить фильтр
Популярные
71P72804S167BQG

IDT, Integrated Device Technology Inc

71P72804S167BQG
Микросхема: 18MBIT PIPELINED QDRII SRAM

16842 шт - 3-6 недель

57 702 ₽

59 шт — 978 ₽

MT57W1MH18JF-6

Micron Technology Inc.

MT57W1MH18JF-6
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

8686 шт - 3-6 недель

59 660 ₽

10 шт — 5 966 ₽

CY7C1372D-167AXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1372D-167AXI
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

5957 шт - 3-6 недель

96 560 ₽

20 шт — 4 828 ₽

CY7C1313TV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1313TV18-250BZC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

4770 шт - 3-6 недель

56 982 ₽

6 шт — 9 497 ₽

MT54W1MH18BF-5

Micron Technology Inc.

MT54W1MH18BF-5
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

4594 шт - 3-6 недель

57 330 ₽

7 шт — 8 190 ₽

CY7C1163KV18-400BZI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1163KV18-400BZI
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

4297 шт - 3-6 недель

56 511 ₽

7 шт — 8 073 ₽

20 шт — 5 511 ₽

CY7C1393KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1393KV18-300BZXC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

3520 шт - 3-6 недель

61 358 ₽

11 шт — 5 578 ₽

CY7C1313AV18-167BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1313AV18-167BZC
Микросхема: QDR SRAM, 1MX18, 0.5NS

3323 шт - 3-6 недель

56 420 ₽

13 шт — 4 340 ₽

CY7C2163KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C2163KV18-550BZXI
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

3223 шт - 3-6 недель

51 940 ₽

4 шт — 12 985 ₽

20 шт — 9 210 ₽

CY7C1372KV25-167AXC

Infineon Technologies

CY7C1372KV25-167AXC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

2677 шт - 3-6 недель

108 400 ₽

40 шт — 2 710 ₽

360 шт — 5 236 ₽

CY7C1312KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1312KV18-250BZXI
Микросхема: NO WARRANTY

2465 шт - 3-6 недель

56 160 ₽

9 шт — 6 240 ₽

20 шт — 4 856 ₽

CY7C1318CV18-167BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1318CV18-167BZC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

2379 шт - 3-6 недель

55 568 ₽

8 шт — 6 946 ₽

CY7C1372S-167BGC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1372S-167BGC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

2058 шт - 3-6 недель

56 646 ₽

9 шт — 6 294 ₽

CY7C1143KV18-450BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1143KV18-450BZC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

2053 шт - 3-6 недель

53 742 ₽

6 шт — 8 957 ₽

20 шт — 5 723 ₽

CY7C1313KV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1313KV18-250BZC
Микросхема: NO WARRANTY

2039 шт - 3-6 недель

58 388 ₽

11 шт — 5 308 ₽

30 шт — 3 762 ₽

CY7C1148KV18-400BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1148KV18-400BZC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

2021 шт - 3-6 недель

56 511 ₽

7 шт — 8 073 ₽

20 шт — 5 723 ₽

CY7C1372SV25-167AXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1372SV25-167AXC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

1996 шт - 3-6 недель

59 890 ₽

10 шт — 5 989 ₽

CY7C1312KV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1312KV18-250BZC
Микросхема: NO WARRANTY

1975 шт - 3-6 недель

56 196 ₽

9 шт — 6 244 ₽

25 шт — 4 428 ₽

CY7C1319KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1319KV18-250BZXC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

1953 шт - 3-6 недель

58 157 ₽

11 шт — 5 287 ₽

30 шт — 3 750 ₽

CY7C1312BV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1312BV18-250BZC
Микросхема: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

1933 шт - 3-6 недель

61 096 ₽

8 шт — 7 637 ₽

Модули памяти

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Модули памяти (Интегральные микросхемы)

Модули памяти: цифровая нервная система современной электроники

В мире, где каждое устройство стремится стать умнее и быстрее, модули памяти выполняют роль фундаментальной основы, на которой строится вся цифровая логика. Это не просто пассивные хранилища данных, а высокоскоростные буферы, обеспечивающие бесперебойный диалог между процессором и остальными компонентами системы. Без них невозможна работа ни одного сложного электронного устройства — от системы управления лифтом в вашем доме, где микроконтроллер постоянно считывает и записывает данные о этажах и командах, до профессионального звукового микшера, обрабатывающего несколько аудиопотоков в реальном времени. Их надежность и скорость напрямую определяют отзывчивость интерфейса, стабильность выполнения прошивки и общую производительность конечного продукта, будь то умный счетчик коммунальных ресурсов или бортовой компьютер промышленного станка.

Микросхемы памяти SOIC на печатной плате

Эволюция технологий: от килобайтов к гигабайтам на кристалле

История развития модулей памяти — это гонка за плотностью, энергоэффективностью и быстродействием. Если первые микросхемы статической памяти (SRAM) измеряли свой объем в килобайтах и потребляли значительную мощность, то современные чипы динамической памяти (DRAM) и флеш-памяти (NAND, NOR) вмещают гигабайты данных, оставаясь крайне экономичными. Ключевым прорывом стало изобретение памяти типа DDR, которая передает данные по обоим фронтам тактового импульса, effectively удваивая пропускную способность без увеличения частоты. Это решение стало отраслевым стандартом для вычислительных систем. Параллельно развивалась флеш-память, позволившая создать компактные и энергонезависимые накопители, которые произвели революцию в портативной технике. Сегодня тренды смещаются в сторону низковольтных решений (LPDDR) для мобильных и IoT-устройств и повышения надежности за счет ECC (коррекции ошибок) в ответственных applications, таких как медицинское оборудование и телекоммуникационные серверы.

Разнообразие решений для конкретных инженерных задач

Выбор конкретного типа памяти диктуется архитектурой проекта и экономическими соображениями. Для кэширования критически важных данных, где важна скорость, а не объем, идеально подходит SRAM — ее можно найти в кэш-памяти процессоров, сетевых маршрутизаторах и высокоскоростных буферах связи. Более емкая и дешевая DRAM составляет основную оперативную память в персональных компьютерах, серверах и сложных мультимедийных системах. Ее разновидности, такие как DDR3, DDR4 и DDR5, предлагают различный баланс производительности и энергопотребления. Для хранения прошивки, операционных систем и пользовательских данных применяется энергонезависимая память. NOR Flash часто используется для хранения кода благодаря возможности быстрого произвольного доступа, в то время как более емкая NAND Flash лежит в основе SSD-накопителей и карт памяти. Отдельно стоит выделить серию EEPROM, незаменимую для хранения небольших, но часто изменяемых данных конфигурации, как в автомобильной электронике или системах умного дома.

На что обратить внимание при выборе?

Подбор модуля памяти — это не только поиск по форм-фактору. Несколько ключевых параметров определяют совместимость и производительность:

  • Тип и поколение: DDR3, DDR4, LPDDR4, SRAM, EEPROM — каждый тип имеет свои уникальные характеристики напряжения и таймингов.
  • Объем и организация: Количество мега- или гигабайт (64Mbit, 2GB) и разрядность шины (x8, x16) должны соответствовать требованиям контроллера.
  • Скорость (Тактовая частота или пропускная способность): Обозначается в мегагерцах (МГц) или как пропускная способность (например, PC4-25600). Выбор должен соответствовать возможностям системы.
  • Напряжение питания: Современные чипы работают при пониженном напряжении (1.2V, 1.35V), что критично для энергосберегающих проектов.
  • Корпус: Форм-фактор (SOIC, TSOP, BGA, DIP) определяет технологию монтажа (автоматический или ручной).
  • Дополнительные функции: Наличие ECC (коррекция ошибок) для повышения надежности или функции самообновления (Self-Refresh) для энергосбережения.

Почему заказчики выбирают «Эиком Ру»?

Наш магазин стал надежным партнером для сотен инженеров и компаний именно потому, что мы глубоко понимаем суть ваших задач. Мы предлагаем не просто каталог деталей, а тщательно сформированную базу компонентов от проверенных производителей (Micron, Samsung, Winbond, ISSI), где каждая позиция прошла строгий входной контроль. Это гарантирует, что вы получите именно те микросхемы, которые обеспечат стабильную работу вашего устройства на протяжении всего его жизненного цикла. Мы гордимся своим обширным складским ассортиментом, который позволяет быстро комплектовать заказы и предлагать конкурентные цены без ущерба для качества. А нашим ключевым преимуществом для клиентов со всей России является бесплатная доставка заказов, что делает сотрудничество не только надежным, но и максимально выгодным. Мы ценим ваше время и доверие.

Новые поступления

Все товары
Новые поступления
    Chemi-Con
    ELXZ250ELL152MK25SКонденсатор: CAP ALUM 1500UF 20% 25V RADIAL
    309Кешбэк 46 баллов
    Chemi-Con
    EKZN500ELL332MM40SКонденсатор: CAP ALUM 3300UF 20% 50V RADIAL
    679Кешбэк 101 балл
    Nichicon
    RNU1C101MDSASQКонденсатор: CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H
    199Кешбэк 29 баллов
    Nichicon
    UVP1C101MPDКонденсатор: CAP ALUM 100UF 20% 16V RADIAL
    101Кешбэк 15 баллов
    Nichicon
    UBT2W220MHD1TNCAP ALUM 22UF 20% 450V RADIAL
    547Кешбэк 82 балла
    Panasonic Electronic Components
    EEH-ZA1J100PКонденсатор
    267Кешбэк 40 баллов
    Panasonic Electronic Components
    EEU-FC1J681SКонденсатор: CAP ALUM 680UF 20% 63V RADIAL
    394Кешбэк 59 баллов
    Panduit Corp
    ABM100-AT-C0CABLE TIE HLDR QUAD ADH 2=QTY2
    22 036Кешбэк 3 305 баллов
    Nichicon
    UHE1V332MHDКонденсатор: CAP ALUM 3300UF 20% 35V RADIAL
    589Кешбэк 88 баллов
    Tripp Lite
    U026-10MCBL USB2.0 A RCPT-A PLUG 32.81'
    9 124Кешбэк 1 368 баллов
    TE Connectivity / Raychem Brand
    TMS-SCE-2X-1K-1/2-9LABEL HEAT SHRINKABLE WHITE 1K
    500Кешбэк 75 баллов
    Panasonic Electronic Components
    EEE-0JA470SRКонденсатор: CAP ALUM 47UF 20% 6.3V SMD
    65Кешбэк 9 баллов
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП